Výrobca Číslo produktu:
IXTQ160N085T
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXTQ160N085T-DG
Popis:
MOSFET N-CH 85V 160A TO3P
Podrobný popis:
N-Channel 85 V 160A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventár:
12821515
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXTQ160N085T Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
85 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
160A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
164 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
6400 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
360W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-3P
Balenie / puzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Základné číslo produktu
IXTQ160
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXTQ160N10T
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IXTQ160N10T-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.69
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IXTH160N10T
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1321
ČÍSLO DIELU
IXTH160N10T-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.43
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXTC75N10
MOSFET N-CH 100V 72A ISOPLUS220
IXTV120N15T
MOSFET N-CH 150V 120A PLUS220
IXFP72N20X3
MOSFET N-CH 200V 72A TO220
