Výrobca Číslo produktu:
IXTQ26N60P
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXTQ26N60P-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 26A TO3P
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 26A (Tc) 460W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventár:
12820095
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXTQ26N60P Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
Polar
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
26A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
270mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4150 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
460W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-3P
Balenie / puzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Základné číslo produktu
IXTQ26
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXTQ30N60P
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IXTQ30N60P-DG
CENA ZA JEDNOTKU
5.15
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXTQ36N50P
MOSFET N-CH 500V 36A TO3P
IXTK90P20P
MOSFET P-CH 200V 90A TO264
IXFT80N15Q
MOSFET N-CH 150V 80A TO268