Výrobca Číslo produktu:
IXTQ32N65X
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXTQ32N65X-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 32A TO3P
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 32A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventár:
12819699
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXTQ32N65X Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
Ultra X
Stav produktu
Last Time Buy
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
32A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
135mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2205 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
500W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-3P
Balenie / puzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Základné číslo produktu
IXTQ32
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXTQ34N65X2M
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IXTQ34N65X2M-DG
CENA ZA JEDNOTKU
6.40
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFN520N075T2
MOSFET N-CH 75V 480A SOT227B
IXFL132N50P3
MOSFET N-CH 500V 63A ISOPLUS264
IXTY44N10T
MOSFET N-CH 100V 44A TO252
