Výrobca Číslo produktu:
IXTQ60N20T
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXTQ60N20T-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 60A TO3P
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 60A (Tc) 500W (Ta) Through Hole TO-3P
Inventár:
13270906
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXTQ60N20T Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
Trench
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
60A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
40mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
73 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4530 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
500W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-3P
Balenie / puzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Základné číslo produktu
IXTQ60
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Iné mená
238-IXTQ60N20T
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFA3N120-TRR
MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
IXTA48P05T-TRL
MOSFET P-CH 50V 48A TO263
IXTA3N100P-TRL
MOSFET N-CH 1000V 3A TO263