Výrobca Číslo produktu:
IXTQ64N25P
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXTQ64N25P-DG
Popis:
MOSFET N-CH 250V 64A TO3P
Podrobný popis:
N-Channel 250 V 64A (Tc) 400W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventár:
12820734
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXTQ64N25P Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
Polar
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
250 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
64A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
49mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3450 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
400W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-3P
Balenie / puzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Základné číslo produktu
IXTQ64
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Iné mená
Q2310188
IXTQ64N25P-NDR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STW52NK25Z
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
444
ČÍSLO DIELU
STW52NK25Z-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.37
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IRFP4768PBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2632
ČÍSLO DIELU
IRFP4768PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.59
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXTA36N30T
MOSFET N-CH 300V 36A TO263
IXFR25N90
MOSFET N-CH 900V 25A ISOPLUS247
IXTU64N055T
MOSFET N-CH 55V 64A TO251
