Výrobca Číslo produktu:
IXTT2N300P3HV
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXTT2N300P3HV-DG
Popis:
MOSFET N-CH 3000V 2A TO268
Podrobný popis:
N-Channel 3000 V 2A (Tc) 520W (Tc) Surface Mount TO-268HV (IXTT)
Inventár:
12819536
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXTT2N300P3HV Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
Polar P3™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
3000 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
21Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
73 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1890 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
520W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 155°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-268HV (IXTT)
Balenie / puzdro
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Základné číslo produktu
IXTT2
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Iné mená
-IXTT2N300P3HV
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
3 (168 Hours)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFH32N50
MOSFET N-CH 500V 32A TO247AD
IXTY32P05T
MOSFET P-CH 50V 32A TO252
IXFP4N85XM
MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220
