IXTT30N50P
Výrobca Číslo produktu:

IXTT30N50P

Product Overview

Výrobca:

IXYS

Číslo dielu:

IXTT30N50P-DG

Popis:

MOSFET N-CH 500V 30A TO268
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 30A (Tc) 460W (Tc) Surface Mount TO-268AA

Inventár:

12913369
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IXTT30N50P Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
Polar
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
30A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
200mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4150 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
460W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-268AA
Balenie / puzdro
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Základné číslo produktu
IXTT30

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
30

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

SI4431CDY-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 9A 8SO

vishay-siliconix

SI4833ADY-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO

vishay-siliconix

SI4154DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 36A 8SO

vishay-siliconix

IRF9Z34STRRPBF

MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK