Výrobca Číslo produktu:
IXTT30N60P
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXTT30N60P-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 30A TO268
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 540W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Inventár:
12911675
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXTT30N60P Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
Polar
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
30A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
240mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5050 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
540W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-268AA
Balenie / puzdro
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Základné číslo produktu
IXTT30
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXTT26N60P
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IXTT26N60P-DG
CENA ZA JEDNOTKU
6.98
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRF840AS
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
SI1405DL-T1-E3
MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
SI7414DN-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK1212-8