Výrobca Číslo produktu:
IXTT50P10
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXTT50P10-DG
Popis:
MOSFET P-CH 100V 50A TO268
Podrobný popis:
P-Channel 100 V 50A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Inventár:
12820533
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXTT50P10 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
50A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
55mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4350 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
300W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-268AA
Balenie / puzdro
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Základné číslo produktu
IXTT50
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXKP20N60C5
MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
IXKT70N60C5-TRL
MOSFET P-CH 600V 68A TO-268
IXFT100N30X3HV
MOSFET N-CH 300V 100A TO268HV