Výrobca Číslo produktu:
IXTT60N20L2
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXTT60N20L2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 60A TO268
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 60A (Tc) 540W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Inventár:
25 Ks Nové Originálne Na Sklade
12820409
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
57Zp
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXTT60N20L2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
Linear L2™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
60A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
45mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
255 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
10500 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
540W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-268AA
Balenie / puzdro
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Základné číslo produktu
IXTT60
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Iné mená
-IXTT60N20L2
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXTH160N10T
MOSFET N-CH 100V 160A TO247
IXFK44N80P
MOSFET N-CH 800V 44A TO264AA
IXFK420N10T
MOSFET N-CH 100V 420A TO264AA
