Výrobca Číslo produktu:
IXTV18N60P
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXTV18N60P-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 360W (Tc) Through Hole PLUS220
Inventár:
12820548
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXTV18N60P Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
PolarHV™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
18A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
420mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2500 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
360W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PLUS220
Balenie / puzdro
TO-220-3, Short Tab
Základné číslo produktu
IXTV18
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STP13N60M2
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
971
ČÍSLO DIELU
STP13N60M2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.76
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFN340N06
MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B
IXTH60N15
MOSFET N-CH 150V 60A TO247
IXTX170P10P
MOSFET P-CH 100V 170A PLUS247-3
