Výrobca Číslo produktu:
IXTX200N10L2
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXTX200N10L2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247-3
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 200A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Inventár:
168 Ks Nové Originálne Na Sklade
12822042
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXTX200N10L2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
Linear L2™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
200A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
11mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 3mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
540 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
23000 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1040W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PLUS247™-3
Balenie / puzdro
TO-247-3 Variant
Základné číslo produktu
IXTX200
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFP36N30P3
MOSFET N-CH 300V 36A TO220AB
IXTA15P15T
MOSFET P-CH 150V 15A TO263
IXFH16N90Q
MOSFET N-CH 900V 16A TO247AD