Výrobca Číslo produktu:
IXTY02N120P-TRL
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXTY02N120P-TRL-DG
Popis:
MOSFET N-CH 1200V 200MA TO252
Podrobný popis:
N-Channel 1200 V 200mA (Tc) 33W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventár:
13270784
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXTY02N120P-TRL Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
Polar
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
1200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
200mA (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
75Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 100µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
4.7 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
104 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
33W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252AA
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IXTY02
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
238-IXTY02N120P-TRLTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXTA10P15T-TRL
MOSFET P-CH 150V 10A TO263
IXTT140N10P-TRL
MOSFET N-CH 100V 140A TO268
IXTY64N055T-TRL
MOSFET N-CH 55V 64A TO252