Výrobca Číslo produktu:
IXTY1N80
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXTY1N80-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 750MA TO252AA
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 750mA (Tc) 40W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventár:
12820785
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
m3RO
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXTY1N80 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
750mA (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
11Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 25µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
8.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
220 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
40W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252AA
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IXTY1
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
70
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STD1NK80ZT4
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
232
ČÍSLO DIELU
STD1NK80ZT4-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.39
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
RFD3055LESM9A
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2171
ČÍSLO DIELU
RFD3055LESM9A-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.23
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXTY4N60P
MOSFET N-CH 600V 4A TO252
AUIRFR3806
MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
IXTH10P50
MOSFET P-CH 500V 10A TO247
