Výrobca Číslo produktu:
IXTY1R4N120P
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXTY1R4N120P-DG
Popis:
MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252
Podrobný popis:
N-Channel 1200 V 1.4A (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventár:
12821611
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXTY1R4N120P Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
Polar
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
1200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1.4A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 100µA
Vgs (max.)
±20V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
-
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252AA
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IXTY1
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
70
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXTA100N04T2
MOSFET N-CH 40V 100A TO263
IXFN340N07
MOSFET N-CH 70V 340A SOT-227B
IXTP06N120P
MOSFET N-CH 1200V 600MA TO220AB
