Výrobca Číslo produktu:

2N5632

Product Overview

Výrobca:

Microchip Technology

Číslo dielu:

2N5632-DG

Popis:

POWER BJT

Podrobný popis:

Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 10 A 150 W Through Hole TO-204AD (TO-3)

Inventár:

Online RFQ

12982160

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

2N5632 Technické špecifikácie

Kategória

Bipolárny (BJT), Jednoduché bipolárne tranzistory

Výrobca

Microchip Technology

Balenie

Bulk

Seriál

-

Stav produktu

Active

Typ tranzistora

NPN

Prúd - kolektor (Ic) (max.)

10 A

Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)

100 V

Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic

-

Prúd - hranie kolektora (max.)

-

Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Výkon - Max

150 W

Frekvencia - Prechod

-

Prevádzková teplota

-

Typ montáže

Through Hole

Balenie / puzdro

TO-204AA, TO-3

Balík zariadení dodávateľa

TO-204AD (TO-3)

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

1

Iné mená

150-2N5632

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

2N3746

POWER BJT

microchip-technology

JANSM2N2369AUA

RH SMALL-SIGNAL BJT

microchip-technology

JAN2N4235L

POWER BJT

2C3486A-MSCL

SMALL-SIGNAL BJT