Výrobca Číslo produktu:
2N6211P
Product Overview
Výrobca:
Microchip Technology
Číslo dielu:
2N6211P-DG
Popis:
POWER BJT
Podrobný popis:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 225 V 2 A 3 W Through Hole TO-66 (TO-213AA)
Inventár:
12979613
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
2N6211P Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Jednoduché bipolárne tranzistory
Výrobca
Microchip Technology
Balenie
Bulk
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
PNP
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
2 A
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
225 V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
1.4V @ 125mA, 1A
Prúd - hranie kolektora (max.)
5mA
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 1A, 5V
Výkon - Max
3 W
Frekvencia - Prechod
-
Prevádzková teplota
-55°C ~ 200°C
Typ montáže
Through Hole
Balenie / puzdro
TO-213AA, TO-66-2
Balík zariadení dodávateľa
TO-66 (TO-213AA)
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1
Iné mená
150-2N6211P
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
2N6514
POWER BJT
JANSL2N2369A
RH SMALL-SIGNAL BJT
2C6438
POWER BJT
