Výrobca Číslo produktu:

APT1001R1BN

Product Overview

Výrobca:

Microchip Technology

Číslo dielu:

APT1001R1BN-DG

Popis:

MOSFET N-CH 1000V 10.5A TO247AD

Podrobný popis:

N-Channel 1000 V 10.5A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-247AD

Inventár:

Online RFQ

13253099

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

APT1001R1BN Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Microchip Technology

Balenie

-

Seriál

POWER MOS IV®

Stav produktu

Obsolete

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

1000 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

10.5A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

1.1Ohm @ 5.25A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

4V @ 1mA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

130 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±30V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

2950 pF @ 25 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

310W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Through Hole

Balík zariadení dodávateľa

TO-247AD

Balenie / puzdro

TO-247-3

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

30

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

microsemi

JANSR2N7269U

MOSFET N-CH 200V 26A U1

microchip-technology

APT14M120B

MOSFET N-CH 1200V 14A TO247

microchip-technology

APT5024BFLLG

MOSFET N-CH 500V 22A TO247

APTM100UM65DAG

MOSFET N-CH 1000V 145A SP6