APT17F120J
Výrobca Číslo produktu:

APT17F120J

Product Overview

Výrobca:

Microchip Technology

Číslo dielu:

APT17F120J-DG

Popis:

MOSFET N-CH 1200V 18A ISOTOP
Podrobný popis:
N-Channel 1200 V 18A (Tc) 545W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®

Inventár:

20 Ks Nové Originálne Na Sklade
13250202
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

APT17F120J Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Microchip Technology
Balenie
Tube
Seriál
POWER MOS 8™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
1200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
18A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
580mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 2.5mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
9670 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
545W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balík zariadení dodávateľa
ISOTOP®
Balenie / puzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Základné číslo produktu
APT17F120

Technické údaje a dokumenty

Technické listy
APT17F120J High-Voltage Power Discretes and Modules

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
10

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
microchip-technology

APT7F120B

MOSFET N-CH 1200V 7A TO247

microchip-technology

APT100F50J

MOSFET N-CH 500V 103A ISOTOP

microsemi

APTM120SK15G

MOSFET N-CH 1200V 60A SP6

microchip-technology

APT7F100B

MOSFET N-CH 1000V 7A TO247