Výrobca Číslo produktu:
APT22F100J
Product Overview
Výrobca:
Microchip Technology
Číslo dielu:
APT22F100J-DG
Popis:
MOSFET N-CH 1000V 23A ISOTOP
Podrobný popis:
N-Channel 1000 V 23A (Tc) 545W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Inventár:
13255904
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
APT22F100J Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Microchip Technology
Balenie
Tube
Seriál
POWER MOS 8™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
1000 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
23A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
380mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
-
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
305 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
9835 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
545W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balík zariadení dodávateľa
ISOTOP®
Balenie / puzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Základné číslo produktu
APT22F100
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
10
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXFN30N120P
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IXFN30N120P-DG
CENA ZA JEDNOTKU
46.25
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
APT18F60B
MOSFET N-CH 600V 19A TO247
2N6764
MOSFET N-CH 100V 38A TO3
APT10078SLLG
MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK
