APT38F80B2
Výrobca Číslo produktu:

APT38F80B2

Product Overview

Výrobca:

Microchip Technology

Číslo dielu:

APT38F80B2-DG

Popis:

MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 41A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]

Inventár:

37 Ks Nové Originálne Na Sklade
13251868
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

APT38F80B2 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Microchip Technology
Balenie
Tube
Seriál
POWER MOS 8™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
41A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
240mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 2.5mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
8070 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1040W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
T-MAX™ [B2]
Balenie / puzdro
TO-247-3 Variant
Základné číslo produktu
APT38F80

Technické údaje a dokumenty

Technické listy
APT38F80(B2,L) High-Voltage Power Discretes and Modules

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
30
Iné mená
APT38F80B2MI-ND
APT38F80B2MI

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
microchip-technology

APT5018SLLG

MOSFET N-CH 500V 27A D3PAK

microchip-technology

APT26M100JCU3

MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

microchip-technology

APT5020SVFRG

MOSFET N-CH 500V 26A D3PAK

microchip-technology

APT10M19SVFRG

MOSFET N-CH 100V 75A D3PAK