Výrobca Číslo produktu:
APT9F100B
Product Overview
Výrobca:
Microchip Technology
Číslo dielu:
APT9F100B-DG
Popis:
MOSFET N-CH 1000V 9A TO247
Podrobný popis:
N-Channel 1000 V 9A (Tc) 337W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Inventár:
13258229
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
APT9F100B Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Microchip Technology
Balenie
Tube
Seriál
POWER MOS 8™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
1000 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
9A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.6Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2606 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
337W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247 [B]
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
APT9F100
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STW9NK90Z
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
411
ČÍSLO DIELU
STW9NK90Z-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.00
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
JANSR2N7261U
MOSFET N-CH 100V 8A 18ULCC
APT6013JLL
MOSFET N-CH 600V 39A ISOTOP
APT9M100B
MOSFET N-CH 1000V 9A TO247