Výrobca Číslo produktu:
MSC035SMA170B
Product Overview
Výrobca:
Microchip Technology
Číslo dielu:
MSC035SMA170B-DG
Popis:
MOSFET SIC 1700 V 45 MOHM TO-247
Podrobný popis:
N-Channel 1700 V 68A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventár:
5 Ks Nové Originálne Na Sklade
12972641
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
MSC035SMA170B Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Microchip Technology
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
SiCFET (Silicon Carbide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
1700 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
68A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
20V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
45mOhm @ 30A, 20V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.25V @ 2.5mA (Typ)
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
178 nC @ 20 V
Vgs (max.)
+23V, -10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3300 pF @ 1000 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
370W (Tc)
Prevádzková teplota
-60°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247-3
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
MSC035
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Iné mená
150-MSC035SMA170B
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
G3R45MT17D
VÝROBCA
GeneSiC Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1084
ČÍSLO DIELU
G3R45MT17D-DG
CENA ZA JEDNOTKU
25.01
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
PJD80N04-AU_L2_000A1
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJQ4401P-AU_R2_000A1
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
NTNS4C69NTCG
MOSFET N-CH SMD
