Výrobca Číslo produktu:
TC6320K6-G
Product Overview
Výrobca:
Microchip Technology
Číslo dielu:
TC6320K6-G-DG
Popis:
MOSFET N/P-CH 200V 8DFN
Podrobný popis:
Mosfet Array 200V Surface Mount 8-DFN (4x4)
Inventár:
5313 Ks Nové Originálne Na Sklade
12810685
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TC6320K6-G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Microchip Technology
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
N and P-Channel
Funkcia FET
-
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
-
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
-
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
110pF @ 25V, 125pF @ 25V
Výkon - Max
-
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-VDFN Exposed Pad
Balík zariadení dodávateľa
8-DFN (4x4)
Základné číslo produktu
TC6320
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Zostava/pôvod PCN
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,300
Iné mená
TC6320K6-G-DG
TC6320K6-GCT
TC6320K6-GTR
TC6320K6-GDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRF7329TRPBF
MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO
HCT802TXV
MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A 6SMD
IRF7303PBF
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO
