TN0110N3-G
Výrobca Číslo produktu:

TN0110N3-G

Product Overview

Výrobca:

Microchip Technology

Číslo dielu:

TN0110N3-G-DG

Popis:

MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 350mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3

Inventár:

Online RFQ
12810007
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

TN0110N3-G Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Microchip Technology
Balenie
Bag
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
350mA (Tj)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 500µA
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
60 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-92-3
Balenie / puzdro
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Základné číslo produktu
TN0110

Technické údaje a dokumenty

Technické listy
TN0110

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
1,000

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
infineon-technologies

IRF1324STRL-7PP

MOSFET N-CH 24V 240A D2PAK

microchip-technology

TP2635N3-G

MOSFET P-CH 350V 180MA TO92-3

nxp-semiconductors

IRFR220,118

MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK

nxp-semiconductors

BUK962R1-40E,118

MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK