TP2535N3-G
Výrobca Číslo produktu:

TP2535N3-G

Product Overview

Výrobca:

Microchip Technology

Číslo dielu:

TP2535N3-G-DG

Popis:

MOSFET P-CH 350V 86MA TO92-3
Podrobný popis:
P-Channel 350 V 86mA (Tj) 740mW (Ta) Through Hole TO-92-3

Inventár:

697 Ks Nové Originálne Na Sklade
12868564
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

TP2535N3-G Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Microchip Technology
Balenie
Bag
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
350 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
86mA (Tj)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
25Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.4V @ 1mA
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
125 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
740mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-92-3
Balenie / puzdro
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Základné číslo produktu
TP2535

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
1,000

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
micro-commercial-components

BSS123-TP

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23

vishay-siliconix

IRF540SPBF

MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK

vishay-siliconix

IRFP31N50LPBF

MOSFET N-CH 500V 31A TO247-3

vishay-siliconix

IRF830ASPBF

MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK