Výrobca Číslo produktu:
VN10KN3-G-P002
Product Overview
Výrobca:
Microchip Technology
Číslo dielu:
VN10KN3-G-P002-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 310mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3
Inventár:
2970 Ks Nové Originálne Na Sklade
12864428
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
VN10KN3-G-P002 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Microchip Technology
Balenie
Cut Tape (CT)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
310mA (Tj)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 1mA
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
60 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-92-3
Balenie / puzdro
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Základné číslo produktu
VN10KN3
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,000
Iné mená
VN10KN3-G-P002CT
VN10KN3-G-P002DKR-DG
VN10KN3-G-P002DKRINACTIVE
150-VN10KN3-G-P002CT
150-VN10KN3-G-P002DKRINACTIVE
VN10KN3-G-P002CT-DG
VN10KN3-G-P002DKR
150-VN10KN3-G-P002DKR-DG
VN10KN3-G-P002TR
150-VN10KN3-G-P002DKR
VN10KN3-G-P002TR-DG
150-VN10KN3-G-P002TR
VN10KN3-G-P002-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RJK03M4DPA-00#J5A
MOSFET N-CH 30V 35A 8WPAK
IRF540STRR
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
IRFSL7534PBF
MOSFET N-CH 60V 195A TO262
