VN2410L-G
Výrobca Číslo produktu:

VN2410L-G

Product Overview

Výrobca:

Microchip Technology

Číslo dielu:

VN2410L-G-DG

Popis:

MOSFET N-CH 240V 190MA TO92-3
Podrobný popis:
N-Channel 240 V 190mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3

Inventár:

827 Ks Nové Originálne Na Sklade
12810714
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

VN2410L-G Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Microchip Technology
Balenie
Bag
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
240 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
190mA (Tj)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
2.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
10Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
125 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-92-3
Balenie / puzdro
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Základné číslo produktu
VN2410

Technické údaje a dokumenty

Technické listy
VN2410

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
1,000

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
infineon-technologies

IPI65R099C6XKSA1

MOSFET N-CH 650V 38A TO262-3

infineon-technologies

IPP80N06S208AKSA1

MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

microchip-technology

VN2410L-G-P013

MOSFET N-CH 240V 190MA TO92-3

infineon-technologies

IRLZ34NS

MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK