Výrobca Číslo produktu:
2N5011
Product Overview
Výrobca:
Microsemi Corporation
Číslo dielu:
2N5011-DG
Popis:
NPN SILICON TRANSISTOR
Podrobný popis:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 600 V 200 mA 1 W Through Hole TO-5AA
Inventár:
13251752
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
2N5011 Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Jednoduché bipolárne tranzistory
Výrobca
Microsemi
Balenie
Bulk
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
NPN
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
200 mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
600 V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
1.5V @ 5mA, 25mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
10nA (ICBO)
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 25mA, 10V
Výkon - Max
1 W
Frekvencia - Prechod
-
Prevádzková teplota
-65°C ~ 200°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balenie / puzdro
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Balík zariadení dodávateľa
TO-5AA
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1
Iné mená
150-2N5011
2N5011-ND
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
2N6678T1
NPN TRANSISTOR
2N6546
TRANS NPN 300V 15A TO204AD
2N6318
TRANS PNP 80V 0.002A TO66
