Výrobca Číslo produktu:

2N6849U

Product Overview

Výrobca:

Microsemi Corporation

Číslo dielu:

2N6849U-DG

Popis:

MOSFET P-CH 100V 6.5A 18ULCC

Podrobný popis:

P-Channel 100 V 6.5A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 18-ULCC (9.14x7.49)

Inventár:

Online RFQ

13249670

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

2N6849U Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Microsemi

Balenie

-

Seriál

-

Stav produktu

Obsolete

Typ FET

P-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

100 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

6.5A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

300mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

4V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

34.8 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±20V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

800mW (Ta), 25W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

18-ULCC (9.14x7.49)

Balenie / puzdro

18-CLCC

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

1

Iné mená

2N6849U-ND

150-2N6849U

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

RoHS non-compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

microchip-technology

APT58M50JCU2

MOSFET N-CH 500V 58A SOT227

microchip-technology

APT75M50B2

MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX

microchip-technology

APT31M100L

MOSFET N-CH 1000V 32A TO264

APT1002RBNG

MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD