Výrobca Číslo produktu:

APT25SM120B

Product Overview

Výrobca:

Microsemi Corporation

Číslo dielu:

APT25SM120B-DG

Popis:

SICFET N-CH 1200V 25A TO247

Podrobný popis:

N-Channel 1200 V 25A (Tc) 175W (Tc) Through Hole TO-247

Inventár:

Online RFQ

13261549

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

APT25SM120B Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Microsemi

Balenie

-

Seriál

-

Stav produktu

Obsolete

Typ FET

N-Channel

Technológia

SiCFET (Silicon Carbide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

1200 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

25A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

20V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

175mOhm @ 10A, 20V

Vgs(th) (Max.) @ Id

2.5V @ 1mA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

72 nC @ 20 V

Vgs (max.)

+25V, -10V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

175W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ montáže

Through Hole

Balík zariadení dodávateľa

TO-247

Balenie / puzdro

TO-247-3

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

1

Iné mená

APT25SM120B-ND

150-APT25SM120B

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

microchip-technology

APT30M19JVFR

MOSFET N-CH 300V 130A ISOTOP

microchip-technology

APT11F80B

MOSFET N-CH 800V 12A TO247

microchip-technology

APT20M11JFLL

MOSFET N-CH 200V 176A ISOTOP

microchip-technology

APT42F50S

MOSFET N-CH 500V 42A D3PAK