APT35SM70B

Výrobca Číslo produktu:

APT35SM70B

Product Overview

Výrobca:

Microsemi Corporation

Číslo dielu:

APT35SM70B-DG

Popis:

SICFET N-CH 700V 35A TO247-3

Podrobný popis:

N-Channel 700 V 35A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-247-3

Inventár:

Online RFQ

13253326

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

APT35SM70B Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Microsemi

Balenie

-

Seriál

-

Stav produktu

Obsolete

Typ FET

N-Channel

Technológia

SiCFET (Silicon Carbide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

700 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

35A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

20V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

145mOhm @ 10A, 20V

Vgs(th) (Max.) @ Id

2.5V @ 1mA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

67 nC @ 20 V

Vgs (max.)

+25V, -10V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

1035 pF @ 700 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

176W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ montáže

Through Hole

Balík zariadení dodávateľa

TO-247-3

Balenie / puzdro

TO-247-3

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

1

Iné mená

APT35SM70B-ND

150-APT35SM70B

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

microsemi

APT10M07JVR

MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

microchip-technology

APTML100U60R020T1AG

MOSFET N-CH 1000V 20A SP1

microchip-technology

APT66M60B2

MOSFET N-CH 600V 70A T-MAX

microchip-technology

APT20M22LVFRG

MOSFET N-CH 200V 100A TO264