Výrobca Číslo produktu:

APT8075BN

Product Overview

Výrobca:

Microsemi Corporation

Číslo dielu:

APT8075BN-DG

Popis:

MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD

Podrobný popis:

N-Channel 800 V 13A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-247AD

Inventár:

Online RFQ

13263362

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

APT8075BN Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Microsemi

Balenie

-

Seriál

POWER MOS IV®

Stav produktu

Obsolete

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

800 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

13A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

750mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

4V @ 1mA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

130 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±30V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

2950 pF @ 25 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

310W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Through Hole

Balík zariadení dodávateľa

TO-247AD

Balenie / puzdro

TO-247-3

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

30

Iné mená

APT8075BN-ND

150-APT8075BN

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

microchip-technology

APL602LG

MOSFET N-CH 600V 49A TO264

APTM50DAM17G

MOSFET N-CH 500V 180A SP6

microchip-technology

APT43M60L

MOSFET N-CH 600V 45A TO264

microchip-technology

APT94N60L2C3G

MOSFET N-CH 600V 94A 264 MAX