Výrobca Číslo produktu:
APT80SM120J
Product Overview
Výrobca:
Microsemi Corporation
Číslo dielu:
APT80SM120J-DG
Popis:
SICFET N-CH 1200V 51A SOT227
Podrobný popis:
N-Channel 1200 V 51A (Tc) 273W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Inventár:
13260627
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
APT80SM120J Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Microsemi
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
SiCFET (Silicon Carbide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
1200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
51A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
20V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
55mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
235 nC @ 20 V
Vgs (max.)
+25V, -10V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
273W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-227
Balenie / puzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1
Iné mená
150-APT80SM120J
APT80SM120J-ND
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
APT10086BVFRG
MOSFET N-CH 1000V 13A TO247
APT5014BFLLG
MOSFET N-CH 500V 35A TO247
APT20M120JCU2
MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227
