APT80SM120S

Výrobca Číslo produktu:

APT80SM120S

Product Overview

Výrobca:

Microsemi Corporation

Číslo dielu:

APT80SM120S-DG

Popis:

SICFET N-CH 1200V 80A D3PAK

Podrobný popis:

N-Channel 1200 V 80A (Tc) 625W (Tc) Surface Mount D3Pak

Inventár:

Online RFQ

13254467

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

APT80SM120S Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Microsemi

Balenie

-

Seriál

-

Stav produktu

Obsolete

Typ FET

N-Channel

Technológia

SiCFET (Silicon Carbide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

1200 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

80A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

20V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

55mOhm @ 40A, 20V

Vgs(th) (Max.) @ Id

2.5V @ 1mA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

235 nC @ 20 V

Vgs (max.)

+25V, -10V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

625W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

D3Pak

Balenie / puzdro

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

APT80SM120(B,S)

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

1

Iné mená

APT80SM120S-ND

150-APT80SM120S

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

microsemi

JANSR2N7268U

MOSFET N-CH 100V 34A U1

microchip-technology

APT14M100S

MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

microchip-technology

APT8065BVRG

MOSFET N-CH 800V 13A TO247

microchip-technology

APT6010LLLG

MOSFET N-CH 600V 54A TO264