JAN2N6796
Výrobca Číslo produktu:

JAN2N6796

Product Overview

Výrobca:

Microsemi Corporation

Číslo dielu:

JAN2N6796-DG

Popis:

MOSFET N-CH 100V 8A TO39
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 8A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39

Inventár:

12922133
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

JAN2N6796 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Microsemi
Balenie
-
Seriál
Military, MIL-PRF-19500/557
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
8A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
195mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
28.51 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
800mW (Ta), 25W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-39
Balenie / puzdro
TO-205AF Metal Can

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
1
Iné mená
JAN2N6796-MIL
150-JAN2N6796
JAN2N6796-DG

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
microsemi

JANTXV2N7236U

MOSFET P-CH 100V 18A TO267AB

infineon-technologies

IRFL4310PBF

MOSFET N-CH 100V SOT223

onsemi

HUF75344A3

MOSFET N-CH 55V 75A TO3P

onsemi

FQP7N60

MOSFET N-CH 600V 7.4A TO220-3