Výrobca Číslo produktu:
JAN2N6798
Product Overview
Výrobca:
Microsemi Corporation
Číslo dielu:
JAN2N6798-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO39
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 5.5A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39
Inventár:
12923491
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
JAN2N6798 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Microsemi
Balenie
-
Seriál
Military, MIL-PRF-19500/557
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
420mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
42.07 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
800mW (Ta), 25W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-39
Balenie / puzdro
TO-205AF Metal Can
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1
Iné mená
150-JAN2N6798
JAN2N6798-MIL
JAN2N6798-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NTD50N03RT4G
MOSFET N-CH 25V 7.8A/45A DPAK
FDS4080N7
MOSFET N-CH 40V 13A 8SO
JANTXV2N7228U
MOSFET N-CH 500V 12A TO267AB
