Výrobca Číslo produktu:
JAN2N6800
Product Overview
Výrobca:
Microsemi Corporation
Číslo dielu:
JAN2N6800-DG
Popis:
MOSFET N-CH 400V 3A TO39
Podrobný popis:
N-Channel 400 V 3A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39
Inventár:
12928976
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
JAN2N6800 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Microsemi
Balenie
-
Seriál
Military, MIL-PRF-19500/557
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
400 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.1Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
34.75 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
800mW (Ta), 25W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-39
Balenie / puzdro
TO-205AF Metal Can
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1
Iné mená
JAN2N6800-DG
JAN2N6800-MIL
150-JAN2N6800
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NTB90N02T4G
MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
IPD50P04P413ATMA2
MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
JANTXV2N6800U
MOSFET N-CH 400V 3A 18ULCC