Výrobca Číslo produktu:

JANSR2N7380

Product Overview

Výrobca:

Microsemi Corporation

Číslo dielu:

JANSR2N7380-DG

Popis:

MOSFET N-CH 100V 14.4A TO257

Podrobný popis:

N-Channel 100 V 14.4A (Tc) 2W (Ta), 75W (Tc) Through Hole TO-257

Inventár:

Online RFQ

13247091

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

JANSR2N7380 Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Microsemi

Balenie

-

Seriál

-

Stav produktu

Obsolete

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

100 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

14.4A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

12V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

200mOhm @ 14.4A, 12V

Vgs(th) (Max.) @ Id

4V @ 1mA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

40 nC @ 12 V

Vgs (max.)

±20V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

2W (Ta), 75W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Trieda

Military

Kvalifikácia

MIL-PRF-19500/614

Typ montáže

Through Hole

Balík zariadení dodávateľa

TO-257

Balenie / puzdro

TO-257-3

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

1

Iné mená

JANSR2N7380-ND

150-JANSR2N7380

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

Not Applicable

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

APTC60DAM35T1G

MOSFET N-CH 600V 72A SP1

microchip-technology

APT77N60BC6

MOSFET N-CH 600V 77A TO247

microchip-technology

APTM100UM45DAG

MOSFET N-CH 1000V 215A SP6

microchip-technology

APT56M50L

MOSFET N-CH 500V 56A TO264