Výrobca Číslo produktu:
JANTXV2N6788U
Product Overview
Výrobca:
Microsemi Corporation
Číslo dielu:
JANTXV2N6788U-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 4.5A 18ULCC
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 4.5A (Tc) 800mW (Tc) Surface Mount 18-ULCC (9.14x7.49)
Inventár:
12925210
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
JANTXV2N6788U Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Microsemi
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
350mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
800mW (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Trieda
Military
Kvalifikácia
MIL-PRF-19500/555
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
18-ULCC (9.14x7.49)
Balenie / puzdro
18-CLCC
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1
Iné mená
150-JANTXV2N6788U
JANTXV2N6788U-MIL
JANTXV2N6788U-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
HUF75337S3S
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
FDB3860
MOSFET N-CH 100V 6.4A/30A TO263
NVMFS5C450NWFT1G
MOSFET N-CH 40V 5DFN
