Výrobca Číslo produktu:
JANTXV2N7334
Product Overview
Výrobca:
Microsemi Corporation
Číslo dielu:
JANTXV2N7334-DG
Popis:
MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
Podrobný popis:
Mosfet Array 100V 1A 1.4W Through Hole MO-036AB
Inventár:
12923591
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
JANTXV2N7334 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Microsemi
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
4 N-Channel
Funkcia FET
-
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
700mOhm @ 600mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
60nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
-
Výkon - Max
1.4W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Trieda
Military
Kvalifikácia
MIL-PRF-19500/597
Typ montáže
Through Hole
Balenie / puzdro
14-DIP (0.300", 7.62mm)
Balík zariadení dodávateľa
MO-036AB
Základné číslo produktu
2N733
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1
Iné mená
JANTXV2N7334-DG
JANTXV2N7334-MIL
150-JANTXV2N7334
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
ECH8654-TL-HQ
MOSFET 2P-CH 20V 5A ECH8
ECH8663R-TL-H
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8ECH
EFC6601R-A-TR
MOSFET 2N-CH EFCP2718
