Výrobca Číslo produktu:
BUK9MJJ-65PLL,518
Product Overview
Výrobca:
Nexperia USA Inc.
Číslo dielu:
BUK9MJJ-65PLL,518-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 65V 11.6A 20SO
Podrobný popis:
Mosfet Array 65V 11.6A (Tc) 4.4W (Tc) Surface Mount 20-SO
Inventár:
12831172
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
BUK9MJJ-65PLL,518 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Nexperia
Balenie
-
Seriál
TrenchPLUS
Stav produktu
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
65V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
11.6A (Tc)
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
15.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
30.8nC @ 5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2660pF @ 25V
Výkon - Max
4.4W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Balík zariadení dodávateľa
20-SO
Základné číslo produktu
BUK9M
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1
Iné mená
934063229518
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
PMDT290UNE,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
PMDT670UPE,115
MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666
BUK9MTT-65PBB,518
MOSFET 2N-CH 65V 3.8A 20SO
