Výrobca Číslo produktu:
BUK9Y19-100E,115
Product Overview
Výrobca:
Nexperia USA Inc.
Číslo dielu:
BUK9Y19-100E,115-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 56A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Inventár:
16480 Ks Nové Originálne Na Sklade
12833088
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
Uems
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
BUK9Y19-100E,115 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Nexperia
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
56A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
18mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.1V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
39 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5085 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
167W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
LFPAK56, Power-SO8
Balenie / puzdro
SC-100, SOT-669
Základné číslo produktu
BUK9Y19
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,500
Iné mená
568-11546-2
934066629115
568-11546-1-DG
1727-1855-2
568-11546-2-DG
1727-1855-1
BUK9Y19-100E,115-DG
568-11546-1
5202-BUK9Y19-100E,115TR
568-11546-6-DG
568-11546-6
1727-1855-6
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
PSMN3R4-30BL,118
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
PSMN1R1-30EL,127
MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
PMV50UPEVL
MOSFET P-CH 20V 3.7A TO236AB
