Výrobca Číslo produktu:
PEMH17,115
Product Overview
Výrobca:
Nexperia USA Inc.
Číslo dielu:
PEMH17,115-DG
Popis:
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT666
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
Inventár:
12830502
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
PEMH17,115 Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Bipolárne tranzistorové matice, predskladané
Výrobca
Nexperia
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ tranzistora
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
100mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50V
Rezistor - základňa (R1)
47kOhms
Rezistor - základňa emitora (R2)
22kOhms
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 5V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 10mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
1µA
Frekvencia - Prechod
-
Výkon - Max
300mW
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SOT-563, SOT-666
Balík zariadení dodávateľa
SOT-666
Základné číslo produktu
PEMH17
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,000
Iné mená
934058931115
PEMH17 T/R
PEMH17 T/R-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
RN1909FE(TE85L,F)
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3948
ČÍSLO DIELU
RN1909FE(TE85L,F)-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.04
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
RN1904FE,LF(CT
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3425
ČÍSLO DIELU
RN1904FE,LF(CT-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.02
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
PUMB13/ZLX
TRANS PREBIAS
PUMH2,115
TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSSOP
PEMB30,115
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT666