Výrobca Číslo produktu:
PHKD3NQ10T,518
Product Overview
Výrobca:
Nexperia USA Inc.
Číslo dielu:
PHKD3NQ10T,518-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SO
Podrobný popis:
Mosfet Array 100V 3A 2W Surface Mount 8-SO
Inventár:
12829022
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
PHKD3NQ10T,518 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Nexperia
Balenie
-
Seriál
TrenchMOS™
Stav produktu
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
90mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
21nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
633pF @ 20V
Výkon - Max
2W
Prevádzková teplota
-65°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Balík zariadení dodávateľa
8-SO
Základné číslo produktu
PHKD3
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
934055906518
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
2 (1 Year)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
PHKD13N03LT,118
MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SO
NX7002AKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.17A 6TSSOP
PMCXB900UELZ
MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6DFN
