Výrobca Číslo produktu:
PHT6NQ10T,135
Product Overview
Výrobca:
Nexperia USA Inc.
Číslo dielu:
PHT6NQ10T,135-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 3A (Ta) 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount SOT-223
Inventár:
4949 Ks Nové Originálne Na Sklade
12881438
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
PHT6NQ10T,135 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Nexperia
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchMOS™
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
90mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
633 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Prevádzková teplota
-65°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-223
Balenie / puzdro
TO-261-4, TO-261AA
Základné číslo produktu
PHT6NQ10
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,000
Iné mená
PHT6NQ10T135
2166-PHT6NQ10T,135-1727
568-6791-2-DG
568-6791-6-DG
934055876135
5202-PHT6NQ10T,135TR
PHT6NQ10T,135-DG
568-6791-2
PHT6NQ10T /T3
568-6791-1
PHT6NQ10T /T3-DG
1727-5352-6
568-6791-1-DG
568-6791-6
1727-5352-1
1727-5352-2
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FDT3612
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
20218
ČÍSLO DIELU
FDT3612-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.21
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRF630STRR
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
IRFD9220PBF
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
STD15N50M2AG
MOSFET N-CHANNEL 500V 10A DPAK
