Výrobca Číslo produktu:
PMH850UPEH
Product Overview
Výrobca:
Nexperia USA Inc.
Číslo dielu:
PMH850UPEH-DG
Popis:
MOSFET P-CH 30V 600MA DFN0606-3
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 600mA (Ta) 660mW (Ta), 2.23W (Tc) Surface Mount DFN0606-3
Inventár:
4228 Ks Nové Originálne Na Sklade
12970165
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
PMH850UPEH Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Nexperia
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
600mA (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.5V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
950mV @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
0.9 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
62.2 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
660mW (Ta), 2.23W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
DFN0606-3
Balenie / puzdro
3-XFDFN
Základné číslo produktu
PMH850
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
10,000
Iné mená
1727-PMH850UPEHDKR
935690961125
5202-PMH850UPEHTR
1727-PMH850UPEHCT
1727-PMH850UPEHTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
3 (168 Hours)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
PJL9425_R2_00001
40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJC7002H_R1_00001
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJW7N04-AU_R2_000A1
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
