Výrobca Číslo produktu:
PMN35EN,125
Product Overview
Výrobca:
Nexperia USA Inc.
Číslo dielu:
PMN35EN,125-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 5.1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Inventár:
12833017
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
PMN35EN,125 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Nexperia
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5.1A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
31mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
9.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
334 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
500mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
6-TSOP
Balenie / puzdro
SC-74, SOT-457
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
568-10800-2
568-10800-6
934065376125
PMN35EN,125-DG
568-10800-1
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FDC645N
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3709
ČÍSLO DIELU
FDC645N-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.19
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
DMG6402LVT-7
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
26413
ČÍSLO DIELU
DMG6402LVT-7-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.06
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
AO6424
VÝROBCA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
AO6424-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.10
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
AUIRFR3710Z
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
PMZB290UNE2YL
MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006B-3
BUK9277-55A,118
MOSFET N-CH 55V 18A DPAK
