Výrobca Číslo produktu:
PMT200EPEX
Product Overview
Výrobca:
Nexperia USA Inc.
Číslo dielu:
PMT200EPEX-DG
Popis:
MOSFET P-CH 70V 2.4A SOT223
Podrobný popis:
P-Channel 70 V 2.4A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount SOT-223
Inventár:
55 Ks Nové Originálne Na Sklade
12831478
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
PMT200EPEX Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Nexperia
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
70 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.4A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
167mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
15.9 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
822 pF @ 35 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
800mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-223
Balenie / puzdro
TO-261-4, TO-261AA
Základné číslo produktu
PMT200
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
1727-PMT200EPEXDKR
5202-PMT200EPEXTR
1727-PMT200EPEXTR
934660521115
PMT200EPEX-DG
1727-PMT200EPEXCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
NTF2955T1G
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5249
ČÍSLO DIELU
NTF2955T1G-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.39
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
NVF2955T1G
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3990
ČÍSLO DIELU
NVF2955T1G-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.40
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
PSMN1R0-40SSHJ
MOSFET N-CH 40V 325A LFPAK88
BUK9M17-30EX
MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK33
PSMN2R2-25YLC,115
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
