Výrobca Číslo produktu:
PMXB65ENEZ
Product Overview
Výrobca:
Nexperia USA Inc.
Číslo dielu:
PMXB65ENEZ-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 3.2A (Ta) 400mW (Ta), 8.33W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3
Inventár:
9950 Ks Nové Originálne Na Sklade
12829189
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
PMXB65ENEZ Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Nexperia
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3.2A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
67mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
295 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
DFN1010D-3
Balenie / puzdro
3-XDFN Exposed Pad
Základné číslo produktu
PMXB65
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
5,000
Iné mená
1727-PMXB65ENEZDKR
PMXB65ENE
PMXB65ENEZ-DG
568-10949-2-DG
568-10949-6
568-10949-1-DG
1727-PMXB65ENEZTR
568-10949-6-DG
934067148147
2156-PMXB65ENEZ-1727
1727-1478-1
1727-1478-2
1727-1478-6-DG
568-10949-1
568-10949-2
1727-1478-6
PMXB65ENEZINACTIVE
5202-PMXB65ENEZTR
1727-1478-1-DG
1727-1478-2-DG
PMXB65ENEZINACTIVE-DG
1727-PMXB65ENEZCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
PSMN2R9-30MLC,115
MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
PMCM6501UPEZ
MOSFET P-CH 20V 6WLCSP
BSS138BKW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
